Информация об микросхемах флэш-памяти (NAND)

[brabus6655]

Ёмкость Nand  микросхем различных фирм:

Это скрытый контент, для просмотра сообщения Вы должны быть Участником форума.

• Войти
• или
• Регистрация

 

 

[Kenotronbot]

Справочник микросхем памяти NAND/NOR: маркировка, емкость, особенности

Коллеги, добрый день!
Собрал и систематизировал информацию по микросхемам Flash-памяти различных производителей,

которые чаще всего встречаются при ремонте электроники.

Список разбит по производителям и типам памяти, добавлены важные технические комментарии по замене и совместимости.

Важное предупреждение!

В списке присутствуют два принципиально разных типа памяти:

NAND (память данных) и NOR (память кода/BIOS). Они не взаимозаменяемы!
* NAND — для флешек, SSD, памяти приставок и ресиверов (последовательный доступ).
* NOR — для BIOS материнских плат, прошивок роутеров (произвольный доступ, низкая емкость).

 1. NAND Flash (Память данных)

Hynix (SK Hynix)
Стандартное питание 3.3В, если не указано иное.
*   **128 Мбит:** HY27US08281A
*   **256 Мбит:** HY27US08561A
*   **512 Мбит:** BC-H27U518S2CTR, HY27US08121A-TPCB, HY27US08121B, HY27US08121M
1 Гбит:
    *   3.3В: HY27UA081G1M-TPCB, HY27UF081G2A, HY27UF081G2M, H27U1G8F2BTR
    *   1.8В: HY27SF081G2M
*   **2 Гбит:** HY27UF082G2B, BC-H27U2G8F2CTR
*   **4 Гбит:** H27U4G8F2D*, H27U4G8F2DTR-BC
*   **8 Гбит:** H27U8G8G5D*, HY27UG08*, HY27UT088G2M-TPCB

Samsung
*   **128 Мбит:** K9F2808U0A, K9F2808U0B, K9F2808U0C-YCB0
*   **256 Мбит:** K9F5608U0A, K9F5608U0B-PCB0, K9F5608U0C, K9F5608U0D-PIB0
*   **512 Мбит:** K9F1208U0A, K9F2808U0B, K9F2808U0C-PCB0
*   **1 Гбит:** K9F1G08U0A, K9F1G08U0B, K9F1G08U0C, K9F1G08U0D, K9F1G08U0E, K9F1G08U0M, K9K1G08U0M
*   **2 Гбит:** K9F2G08U0A, K9F2G08U0B, K9F2G08U0C, K9F2G08U0D, K9F2G08U0M
*   **4 Гбит:** K9F4G08U0A, K9F4G08U0B, K9F4G08U0C, K9F4G08U0D, K9G4G08U0*
*   **8 Гбит:** K9G8G08U0A, K9G8G08U0M, K9K8G08U0A, K9F8G08U0M
*   **16 Гбит:** K9GAG08U0D, K9GAG08U0M, K9WAG08U1M

Micron
*   **1 Гбит:** MT29F1G08, MT29F1G08ABADAWP, MT29F1G08ABAEAWP, MT29F1G08ABADAH4 (FBGA63), NAND01GW3B
*   **2 Гбит:** MT29F2G08
*   **4 Гбит:** MT29F4G08, MT29F4G08ABADAWP, MT29F4G08ABAEAWP
*   **8 Гбит:** IT-MT29F8G08ABABAWP, NAND08GW3B2A, NAND08GW3B2C
*   **16 Гбит:** IT-MT29F16G08ABABAWP, MT29F16G08FAAWC-ETA

Toshiba (Kioxia)
*   **32 Мбит:** TC58FVM5T2ATG65
*   **128 Мбит:** TC58DVM72A1FT00
*   **512 Мбит:** TC58DVM92A1FTI0, TC58DVM92A5TA10, TC58DVM92A5TA00
1 Гбит:
  *   3.3В: TC58BVG0S3HTA00, TC58DVG02D5TA00, TC58NVG0S3ETAI0, TC58NVG0S3HTA00
  *   1.8В: TC58NYG0S3EBAI4 (FBGA63)
  **2 Гбит:** TC58NVG1S3, TC58NVG1S3ETA00
  **4 Гбит:** TC58NVG2S3
  **8 Гбит:** TC58DVG3S0ETA00

ST (Micron/Numonyx legacy)
*   **128 Мбит:** NAND128W3A, NAND128W3A2BN6
*   **256 Мбит:** NAND256W3A, NAND256W3A2BN6
*   **512 Мбит:** NAND512W3A, NAND512W3A2CN6, NAND512W3B, NAND512R3A* (1.8В)
*   **1 Гбит:** NAND01GW3B2CN6
*   **8 Гбит:** NAND08GW3B2A, NAND08GW3B2C

Spansion (Cypress)
 1 Гбит:
    *   3.3В: S34ML01G1, S34ML01G100TFI00, S34ML01G2, S34ML01G200BHI00
    *   1.8В: S34MS01G1
2 Гбит:
    *   3.3В: S34ML02G1, S34ML02G2
    *   1.8В: S34MS02G1
4 Гбит:
    *   3.3В: S34ML04G1, S34ML04G2
    *   1.8В: S34MS04G1
*   **8 Гбит:** S34ML08G1, S34ML08G2

ESMT
*   **1 Гбит:** F59L1G81A, F59L1G81MA-25T

MXIC (Macronix)
*   **1 Гбит:** MX30LF1G08AA-TI, MX30LF1G08AA-XKI (FBGA63, 3.3В)
*   *(Прим.: MX29GL320E - это NOR Flash!)*

Zentel
*   **1 Гбит:** A5U1GA31ATS, A5R1GA31ATS (1.8В)
*   **2 Гбит:** A5U2GA31ATS
*   **8 Гбит:** A5U8GA31ATS

ATO
*   **256 Мбит:** AFND5608U1-CKAK, AFND5608U1-CKCK (FBGA63)
*   **512 Мбит:** AFND1208U1-CKA
*   **1 Гбит:** AFND1G08U3-CKA

Winbond
*   **1 Гбит:** W29N01GVSCAA

cFeon (Eon)
*   **1 Гбит:** EN27LN1G08-25T

 2. NOR Flash (BIOS / Firmware)

Сюда попали микросхемы из списка, предназначенные для хранения кода. Внимательно следите за напряжением питания!

AMD / Spansion
*   **8 Мбит:** AM29F800BB, AM29LV800BT (5В)
*   **16 Мбит:** AM29LV160D (3В)
*   **32 Мбит:** AM29LV320D (3В)
*   *Примечание:* AM29F400AT — это 4 Мбит (в исходных данных была опечатка про 4 Гбит).

Intel
*   **16 Мбит:** TE28F160C3
*   **32 Мбит:** TE28F320C3B, TE28F320C3T

**CFEON (Eon)**
*   **16 Мбит:** EN29LV160B

Winbond
*   **128 Мбит:** W29GL128CH9T (NOR Flash)

 3. Техническая справка (для программирования и замены)

1. Малый (Small Block) vs Большой (Large Block) блок:
Это критично для NAND. Микросхемы до 512 Мбит часто были "Small Block" (страница 512+16 байт).

Начиная с 1 Гбит и выше — почти всегда "Large Block" (страница 2048+64 байта).

Устройство может не заработать, если вы поставите микросхему с другой структурой страниц, даже если емкость совпадает.

2. Напряжение питания:
*   Стандарт: **3.3 Вольта**.
*   Low Voltage: **1.8 Вольта** (часто обозначаются суффиксами LV, MS вместо ML у Spansion, SF вместо UF у Hynix).

Подача 3.3В на микросхему 1.8В сожжет чип!

3. Идентификация (ID):
Программаторы читают ID по команде `0x90`. Первые байты определяют производителя:
*   `EC` — Samsung
*   `AD` — Hynix
*   `2C` — Micron
*   `98` — Toshiba
*   `C2` — MXIC

4. Бэд-блоки (Bad Blocks):
В новых NAND микросхемах (особенно MLC/TLC) наличие заводских бэд-блоков — это норма.

При замене микросхемы в устройстве (например, при снятии дампа и записи в новый чип)

необходимо учитывать таблицу бэд-блоков или использовать правильный алгоритм

форматирования контроллером устройства.