Силовые транзисторы PDP TV

Силовые транзисторы PDP TV MOS FET IGBT

FAIRCHILD

FDA59N25 ,

Renisas

H5N3011P , RJP63K2DPK ,

SanKen

FKP300A

TOSHIBA

GT30F122 , GT30F123 , GT30F124 , GT30F125 , GT45F122 , GT45F123 , GT45F124 , GT45F125 , GT45F127 , GT45F128 , GT45F131

International Rectifier

IRFP4242PbF , IRG7IC28UPbF

International Rectifier

IRFP4242PBF

N- Ch. 300В, 46А(190A)

Корпус - TO247AC

SanKen

FKP300A

N-Ch. MOS FET 300V , 30A(120A)

Корпус - FM100 (TO-3P Full Mold)

Устанавливается :

Z-SUS ANP2205-A (AWV2447-A) - PIONEER

INTERNATIONAL RECTIFER

IRG7IC28UPbF

N-ch. IGBT 600V. 25A. (250A)

Корпус- TO-220AB

Устанавливается :

Y-SUS EBR68341901 - LG(42PT350C)

Renisas

H5N3011P

N-Ch. MOS FET , 300V , 30A(176A)

Корпус - TO-3P

Устанавливается :

Y-SUS LJ41-03424A(LJ92-01337A) - Samsung(PDP S42SD-YB05)

]RENESAS

RJP63K2DPK

N-Ch. IGBT 600V. 35A (200A)

Корпус - TO-3PSG

Устанавливается : Y-SUS - Samsung

TOSHIBA

GT30F122

N-Ch. IGBT - 300 V(120 A)

Корпус - TO-220SIS

GT30F123 , GT30F124 , GT30F125 , GT45F122 , GT45F123 , GT45F124 , GT45F125 , GT45F127

N-Ch. IGBT - 300 V(200 A)

Корпус - TO-220SIS

GT45F128

N-Ch. IGBT - 330 V(200 A)

Корпус - TO-220SIS

GT45F131

N-Ch. IGBT - 300 V(200 A) Корпус - TO-220SM

Устанавливается :

Y-SUS EBR54214201 - LG (32PC5RA-TD)

FAIRCHILD

FDA59N25

N-Ch. UniFET/ MOSFET 250 V, 59 A ( 236A )

Корпус - TO-3PN

Устанавливается :

Y-Sus 6870QYH005B (на базе PDP-панели LG 42x3), LG (42PC1RR)