Перейти к содержанию

AO4435 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

   (0 отзывов)

1 изображение

Информация о файле

AO4435 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

The AO4435 uses advanced trench technology to

provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge

with a 25V gate rating. This device is suitable for use as

a load switch or in PWM applications.

-RoHS Compliant

-AO4435 is Halogen Free

 

Product Summary

VDS = -30V

ID = -10.5A (VGS = -20V)

RDS(ON)

RDS(ON)

RDS(ON)

100% UIS Tested

100% Rg Tested


Обратная связь

Вы сможете написать отзыв только после скачивания файла.

Отзывов нет

×
×
  • Создать...